Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R3K3C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R3K3C6
IPD60R3K3C6ATMA1 Hakkında
IPD60R3K3C6ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET'tir. 600V Drain-Source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 1.7A sürekli Drain akımı ve 3.3Ω maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol devreleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığına ve ±20V maksimum gate voltajına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 93 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 18.1W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.3Ohm @ 500mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok