Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R380P6ATMA1
XPD60R380 - LOW POWER_LEGACY
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R380P6
IPD60R380P6ATMA1 Hakkında
IPD60R380P6ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source gerilim ile tasarlanan bu komponent, 10.6A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, 380mOhm maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. -55°C ile 150°C arasında çalışan bu komponent, anahtarlama uygulamaları, motor kontrol, DC-DC konvertörler ve güç yönetimi devrelerinde kullanılır. 10V gate sürüş gerilimi ile uyumludur ve 83W güç dağıtabilme kapasitesine sahiptir. Aktif üretimde olan bu ürün, kalıtsal (legacy) düşük güç tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 877 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok