Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R380P6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R380P6
IPD60R380P6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R380P6ATMA1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistördür. 10.6A sürekli dren akımı kapasitesi ve 380mΩ RDS(on) değeri ile güç yönetimi devrelerinde kullanılır. TO-252 (DPak) paketlemesi ile yüzey montajı uygulamaları destekler. Anahtarlama devreleri, DC-DC dönüştürücüler, motor kontrol ve endüstriyel güç elektroniği uygulamalarında yer alır. -55°C ile 150°C arasında çalışır ve 83W maksimum güç tüketebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 877 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 320µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok