Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R360CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 7A TO252-3-313
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R360CFD7ATMA1
IPD60R360CFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R360CFD7ATMA1, 650V drain-source gerilimi ile yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-channel MOSFET'tir. 7A sürekli drain akımı ve 360mΩ (10V, 2.9A'de) kapalı devir direnci ile güç elektronikleri devreleri için uygun bir seçenektir. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, ±20V maksimum gate gerilimi ve 4.5V eşik gerilimi özelliğine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol, güç yönetimi ve koruma devrelerinde kullanılır. 43W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici uygulamalarında yaygın olarak tercih edilmektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 679 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 43W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 360mOhm @ 2.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 140µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok