Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET N-CH 600V 2.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R2K1C
IPD60R2K1CEAUMA1 Hakkında
IPD60R2K1CEAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source voltaj ve 2.3A sürekli drenaj akımı ile tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç elektronikleri uygulamalarında anahtarlama işlevlerini gerçekleştirmek için kullanılır. 2.1Ω maksimum On-direnç (10V gate voltajında) ile verimli enerji transferi sağlar. -40°C ile 150°C arası sıcaklık aralığında çalışabilen bu MOSFET, enerji dönüştürücüler, motor kontrol devreleri, boost konvertörleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 38W maksimum güç tüketimi ve düşük geçiş kapasitansı ile endüstriyel ve tüketici elektronikleri uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 38W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.1Ohm @ 760mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok