Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R2K0C6BTMA1
MOSFET N-CH 600V 2.4A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R2K0C6BTMA1
IPD60R2K0C6BTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R2K0C6BTMA1, 600V drain-source gerilim ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 25°C'de 2.4A sürekli drain akımı sağlar. 2Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sunması nedeniyle güç dönüştürme uygulamalarında kullanılır. Yüksek voltaj anahtarlama devreleri, DC/DC dönüştürücüler, motorların PWM kontrolü ve güç yönetim sistemlerinde tercih edilmektedir. -55°C ile +150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı ve 22.3W güç dağılım kapasitesi ile çeşitli endüstriyel ve tüketici uygulamalarına uygun tasarlanmıştır. Bileşen artık üretilmemektedir (obsolete).
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2.4A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 22.3W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2Ohm @ 760mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 60µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok