Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R280PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 650V 12A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R280PFD7S
IPD60R280PFD7SAUMA1 Hakkında
IPD60R280PFD7SAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel MOSFET transistördür. 650V drain-source gerilim ve 12A sürekli drain akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 280mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, inverter uygulamaları, motor kontrolü ve anahtarlama devrelerinde yaygın olarak tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığına sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 656 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 51W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-344 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 180µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok