Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R280P7ATMA1
MOSFET N-CH 600V 12A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R280P7
IPD60R280P7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R280P7ATMA1, 600V yüksek gerilim uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. 12A sürekli drenaj akımı ve 280mΩ maksimum Rds(on) değeri ile anahtarlama devrelerinde düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paket tipi, yüzey montajı uygulamalarında kompakt tasarım imkanı sunar. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans gösterir. 4V gate threshold voltajı ve 18nC gate charge değerleri ile hızlı anahtarlama karakteristiğine sahiptir. Endüstriyel güç kaynakları, motor kontrol, güç yönetimi ve diyode uygulamalarında yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 12A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 761 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 53W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 280mOhm @ 3.8A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 190µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok