Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R1K5PFD7SAUMA1
MOSFET N-CH 650V 3.6A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R1K5PFD7
IPD60R1K5PFD7SAUMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPD60R1K5PFD7SAUMA1, 650V dayanıma sahip N-Channel MOSFET transistördür. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 3.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 1.5Ω Rds(on) değeri ile verimli anahtarlama sağlar. SMPS (Switched Mode Power Supply) devrelerinde, güç yönetimi uygulamalarında ve anahtarlamalı regülatörlerde tercih edilir. -40°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığı, endüstriyel ve ticari uygulamalara uygunluğunu belirler. Maksimum 22W güç tüketimi kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 169 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 22W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5Ohm @ 700mA, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-344 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok