Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R1K4C6ATMA1
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R1K4C6
IPD60R1K4C6ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R1K4C6ATMA1, 600V yüksek voltaj uygulamaları için tasarlanmış N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 3.2A sürekli dren akımı kapasitesi ve 1.4Ω maksimum on-state direnci ile düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar. Güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler, motor sürücüleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. 9.4nC gate charge değeri hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir. Aktif üretim durumundadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok