Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R1K4C6
MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R1K4C6
IPD60R1K4C6 Hakkında
IPD60R1K4C6, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drenaj-kaynak gerilimi ve 3.2A sürekli drenaj akımı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama devreleri, güç kaynakları, inverterler ve motor kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 10V gate geriliminde 1.4Ω maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 150°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında güvenilir bir seçenektir. Maksimum 9.4 nC gate yükü ve 200 pF giriş kapasitansi ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 9.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 200 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 28.4W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 1.1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok