Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R1K0PFD7SAUMA1
CONSUMER PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R1K0PFD7
IPD60R1K0PFD7SAUMA1 Hakkında
IPD60R1K0PFD7SAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V Drain-Source voltajında 4.7A sürekli akım kapasitesine sahip olup, 10V gate sürülmesinde 1Ohm Rds(On) değeri ile verimli anahtarlama işlemi gerçekleştirir. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile tasarlanmış olan bu komponent, güç yönetimi uygulamaları, adaptör devreleri ve düşük sinyal anahtarlama işlemlerinde yaygın olarak kullanılır. -40°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans sunar ve 26W maksimum güç dağıtım kapasitesi ile endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarına uygun bir çözümdür.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 230 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 26W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 1A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 50µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok