Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R180P7SE8228AUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R180P7
IPD60R180P7SE8228AUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R180P7SE8228AUMA1, N-kanallı MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketlemesi ile yüksek entegrasyon yoğunluğu sağlar. 10V gate sürüş geriliminde 180mΩ maksimum RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. Endüstriyel güç dönüştürücüleri, solenoid kontrol devreleri, motor sürücüleri ve anahtarlamalı güç kaynakları gibi uygulamalarda tercih edilir. -40°C ile 150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir işlem yapabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok