Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R180P7SAUMA1
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R180P7
IPD60R180P7SAUMA1 Hakkında
IPD60R180P7SAUMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 600V drain-source gerilimi ve 18A sürekli drenaj akımı kapasitesiyle yüksek voltaj uygulamalarında kullanılır. 180mΩ maksimum açık kapı direnci (Rds On) ile güç kaybı minimize edilir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bu transistör, -40°C ile 150°C arasında çalışabilir. Elektrik pano kontrolleri, motor sürücüleri, güç kaynakları ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. 25nC gate yükü hızlı anahtarlamaya olanak tanır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 18A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1081 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 5.6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 280µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok