Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60R170CFD7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 14A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60R170CFD7ATMA1
IPD60R170CFD7ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD60R170CFD7ATMA1, 650V drain-source gerilimi ile çalışan N-channel MOSFET transistörüdür. 14A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç uygulamalarında kullanılmaya uygun tasarlanmıştır. Sahip olduğu 170mΩ (10V, 6A koşullarında) düşük on-state direnci güç kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bileşen, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlamalar ve inverter uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığına sahip olup, maksimum 76W güç saçabilir. ±20V gate gerilimi aralığında ve 4.5V eşik gerilimi ile hızlı anahtarlama karakteristiği gösterir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 28 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1199 pF @ 400 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 76W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 170mOhm @ 6A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 300µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok