Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60N10S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60N10S4L12ATMA1
IPD60N10S4L12ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPD60N10S4L12ATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesine sahiptir. 12mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kayıp uygulamalarda kullanılır. TO-252 (DPak) paket tipi sayesinde yüksek ısıl yayılım sağlar. -55°C ile 175°C çalışma sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. Anahtarlama uygulamaları, DC-DC konvertörleri, motor kontrol devreleri ve güç yönetimi sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. 49nC kapı yükü ile hızlı anahtarlama özelliğine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 49 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3170 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.1V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok