Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD60N10S412ATMA1
MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD60N10S412ATMA1
IPD60N10S412ATMA1 Hakkında
IPD60N10S412ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 100V dren-kaynak gerilimi ve 60A sürekli dren akımı kapasitesiyle endüstriyel güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 12.2mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol devreleri, güç dönüştürücüleri ve yük anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. ±20V gate voltaj aralığında çalışır ve -55°C ile 175°C arasında güvenli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 60A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 34 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2470 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 94W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.2mOhm @ 60A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok