Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD600N25N3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 25A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD600N25N3G
IPD600N25N3GATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD600N25N3GATMA1, 250V drain-source gerilimi ve 25A sürekli dren akımı özelliklerine sahip N-Channel MOSFET transistörüdür. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, 60mΩ maksimum gate-drain açık direnci ile düşük güç kaybı sağlar. 10V drive voltajında optimize edilmiş, ±20V gate voltajı aralığında çalışır. -55°C ile 175°C işletme sıcaklık aralığında stabil performans gösterir. 136W maksimum güç dağılımı kapasitesi ile endüstriyel uygulamalarda, motor kontrolü, anahtarlama güç kaynakları ve enerji yönetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok