Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD5N25S3430ATMA1
MOSFET N-CH 250V 5A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD5N25S3430AT
IPD5N25S3430ATMA1 Hakkında
IPD5N25S3430ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 250V drain-source gerilim ve 5A sürekli dren akımı özellikleriyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 430mΩ maksimum Rds(on) değerine sahiptir ve -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. 10V gate sürüş geriliminde 6.2nC gate charge değeri ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç kaynağı uygulamaları, motor kontrol devreleri, AC-DC dönüştürücüler ve genel amaçlı anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. Düşük Rds(on) değeri ısıl disipasyonu minimize ederek verimli çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 250 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 422 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 41W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok