Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R950CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 4.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R950CEBTMA1
IPD50R950CEBTMA1 Hakkında
IPD50R950CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisini kullanan bu bileşen, TO-252 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 4.3A sürekli dren akımı kapasitesine ve 950mOhm (13V, 1.2A'de) on-resistance değerine sahiptir. -55°C ile +150°C sıcaklık aralığında çalışır ve 34W güç disipasyonu kapasitesine sahiptir. Düşük gate charge değeri (10.5nC @ 10V) sayesinde hızlı anahtarlama işlemleri gerçekleştirebilir. İleri seviye güç dönüştürme uygulamaları, SMPS devreleri, motor denetim sistemleri ve yüksek voltaj anahtarlama uygulamalarında kullanılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 231 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 34W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 950mOhm @ 1.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 100µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok