Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R800CEBTMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R800CEBTMA1
IPD50R800CEBTMA1 Hakkında
IPD50R800CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 500V Drain-Source gerilimi ve 5A sürekli drenaj akımı ile orta-yüksek güç uygulamalarında kullanılır. Super Junction teknolojisi sayesinde düşük RDS(on) değeri (800mΩ @ 1.5A, 13V) ile enerji verimliliği sağlar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, endüstriyel sürücü devreleri, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrol uygulamaları ve AC-DC dönüştürücülerde yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C çalışma sıcaklık aralığında güvenilir performans sunar. Maksimum 40W güç tüketiminde çalışabilir ve 12.4nC gate charge değeriyle hızlı anahtarlama özelliği vardır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 40W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.5A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok