Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R800CEATMA1
MOSFET N CH 500V 5A TO252
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R800CEA
IPD50R800CEATMA1 Hakkında
IPD50R800CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 5A sürekli dren akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 800mΩ maksimum on-direnci ile verimli iletim sağlar. TO-252 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, sürücü devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve anahtarlamalı kaynaklar gibi uygulamalarda tercih edilir. -55°C ile +150°C arasında çalışabilen ve 60W güç harcaması destekleyen bu transistör, endüstriyel ve tüketici elektronik sistemlerinde yaygın olarak kullanılmaktadır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 5A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 280 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 60W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 800mOhm @ 1.5A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok