Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R650CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R650CE
IPD50R650CEBTMA1 Hakkında
IPD50R650CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 6.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahiptir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, yüksek gerilim anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 650mΩ maksimum RDS(on) değeri ile güç kaybını minimize ederek verimli çalışma sağlar. Güç kaynağı tasarımları, motor kontrol devreleri, oto elektrik sistemleri ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 47W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok