Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R650CEAUMA1
MOSFET N-CH 500V 9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R650CE
IPD50R650CEAUMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD50R650CEAUMA1, 500V drain-source voltajına kadar dayanabilen N-channel MOSFET transistörüdür. 9A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 650mΩ maksimum on-direnci (Rds On) ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) kasa tipi ile yüzey montajlı PCB uygulamalarında kolayca entegre edilebilir. -55°C ile +150°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında endüstriyel uygulamalar, güç dönüştürücüler, motor sürücüler ve anahtarla yönetilen regülatör devreleri için uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-344 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok