Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R650CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R650CE
IPD50R650CEATMA1 Hakkında
IPD50R650CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilimi ve 6.1A sürekli drenaj akımı özelliği ile orta güç uygulamalarında kullanılır. 650mΩ on-resistance değeri ile anahtarlama devrelerinde, güç dönüştürücülerinde, motor kontrol uygulamalarında ve endüstriyel güç yönetim sistemlerinde tercih edilir. TO-252-3 (DPak) SMD paketinde sunulan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışır. 13V gate drive voltajı ile kontrol edilir ve 15nC gate charge değeri hızlı anahtarlamaya olanak tanır. Obsolete durumda olan bu bileşenin yerinde yeni Infineon MOSFET serileri kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 6.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 342 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 69W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650mOhm @ 1.8A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 150µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok