Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R500CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R500CE
IPD50R500CEBTMA1 Hakkında
IPD50R500CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen 500V N-Channel MOSFET transistörüdür. Super Junction teknolojisi kullanarak tasarlanan bu bileşen, 7.6A sürekli drenaj akımı ve maksimum 57W güç tüketimi kapasitesine sahiptir. RDS(on) değeri 500mΩ (13V gate voltajında 2.3A'da) ile düşük iletim kayıpları sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu MOSFET, güç kaynakları, invertörler, motor kontrol devreleri ve anahtarlama uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen ürün, 18.7nC gate charge ve 433pF input capacitance değerleriyle hızlı anahtarlama performansı sunar. ±20V maksimum gate voltajı ile geniş kontrol aralığına ve 3.5V eşik voltajı ile düşük aktivasyon seviyesine sahiptir. Ürün Digi-Key tarafından sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok