Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R500CEATMA1
MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R500CE
IPD50R500CEATMA1 Hakkında
IPD50R500CEATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-channel güç MOSFETidir. 500V drain-source gerilimi ve 7.6A sürekli dren akımı kapasitesi ile yüksek gerilim uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, anahtarlama güç kaynakları, DC-DC dönüştürücüler ve motor kontrol devreleri gibi endüstriyel uygulamalarda yaygın olarak tercih edilir. 500mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar ve -55°C ile 150°C arasında çalışabilir. Üretici tarafından üretimi durdurulmuş olmakla birlikte, stok bulunabilen uygulamalarda entegre edilebilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 7.6A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 433 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 57W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 500mOhm @ 2.3A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 200µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok