Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R3K0CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R3K0CEBTMA1
IPD50R3K0CEBTMA1 Hakkında
IPD50R3K0CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source gerilim yeteneği ve 1.7A sürekli akım kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 13V gate sürme geriliminde 3Ω maksimum on-direnç değerine sahiptir. -55°C ile 150°C arasında çalışabilen kompakt tasarımı, endüstriyel güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve AC-DC dönüştürücülerde yer bulur. 4.3nC gate yükü ve 84pF giriş kapasitanslı yapısı, hızlı anahtarlama özelliği sağlar. Not: Bu ürün Obsolete (üretilmiyor) statüsündedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.3 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 84 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 18W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3Ohm @ 400mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 30µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok