Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R399CP
MOSFET N-CH 550V 9A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R399CP
IPD50R399CP Hakkında
IPD50R399CP, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 550V drain-source voltajı ve 9A sürekli drenaj akımı ile çalışan bu bileşen, TO-252-3 (DPak) paketinde sunulmaktadır. 399mΩ maksimum RDS(on) değeri düşük açık direnç sağlayarak enerji verimli çalışma imkanı tanır. -55°C ile 150°C arasındaki geniş çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme uygulamaları, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve endüstriyel elektronik sistemlerinde tercih edilen bir bileşendir. Maksimum 83W güç dağılımı kapasitesine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 550 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 890 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 399mOhm @ 4.9A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 330µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok