Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R380CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R380CE
IPD50R380CEBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD50R380CEBTMA1, 500V drain-source gerilimi ve 14.1A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip N-Channel MOSFET'tir. Super Junction teknolojisine dayalı bu transistör, 380mΩ (13V, 3.2A'da) maksimum on-state direnç ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paket tipi ile yüzey montajına uygun olan bileşen, -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Gate charge 24.8nC ve 584pF input kapasitesi ile hızlı anahtarlama özelliği gösterir. Güç kaynakları, DC-DC konverterler, motor kontrol devreleri ve yüksek voltajlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. Maksimum 73W güç dissipasyonu ile endüstriyel ve otoomotiv uygulamalarına uygundur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 14.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Feature | Super Junction |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24.8 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 584 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 73W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380mOhm @ 3.2A, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 260µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok