Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50R1K4CEBTMA1
MOSFET N-CH 500V 3.1A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50R1K4CE
IPD50R1K4CEBTMA1 Hakkında
IPD50R1K4CEBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 500V drain-source voltajı ile yüksek voltaj uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. 3.1A sürekli drain akımı kapasitesine sahip olup, 1.4Ω maksimum RDS(on) değeriyle verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulan bu bileşen, güç dönüştürme devreleri, güç kaynakları, motor kontrol ve endüstriyel anahtarlama uygulamalarında kullanılır. -55°C ile +150°C arasında çalışabilir. Düşük gate charge (1 nC @ 10V) özellikleri hızlı anahtarlama gerektiren devrelere uygundur. Bileşenin üretimi sonlandırılmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 3.1A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 500 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 13V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 178 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 900mA, 13V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 70µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok