Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50P04P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50P04P4L11ATMA2
IPD50P04P4L11ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD50P04P4L11ATMA2, P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source voltajına kadar çalışabilir ve 50A sürekli drain akımı sağlar. TO-252-3 (DPak) kasa tipiyle Surface Mount uygulamalarında kullanılır. 10mOhm'dan düşük RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. Gate charge 59nC olup hızlı anahtarlama uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile +175°C arasında çalışabilen bu MOSFET, anahtarlama güç kaynakları, motor kontrolü ve yük yönetimi gibi uygulamalarda yaygın olarak kullanılır. 58W maksimum güç dağıtım kapasitesiyle endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında reliable bir seçimdir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok