Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50P04P4L11ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50P04P4L11
IPD50P04P4L11ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies IPD50P04P4L11ATMA1, 40V drain-source gerilimi ile çalışan P-channel MOSFET transistörtür. 50A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç anahtarlaması ve motor kontrolü uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paket tipinde sunulan bu bileşen, düşük on-state direnci (10.6mOhm @ 50A, 10V) sayesinde ısıl kayıpları minimize eder. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kararlı performans gösterir. Voltaj regülatörleri, anahtarlama güç kaynakları ve yük anahtarlama devreleri gibi uygulamalarda tercih edilir. Bileşen yeni tasarımlar için önerilmese de, mevcut ürün desteğine sahip uygulamalarda kullanılabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 59 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3900 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok