Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50P04P413ATMA1
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50P04P413
IPD50P04P413ATMA1 Hakkında
IPD50P04P413ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesi ile orta güç uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, 12.6mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kaybı sağlar. Gate charge değeri 51nC olan transistör, anahtarlama uygulamalarında hızlı davranış sergiler. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında kullanılabilir. Güç dönüştürme devreleri, motor sürücüleri, DC-DC konvertörler ve röle kontrol uygulamalarında yaygın olarak tercih edilir. Maksimum 58W güç tüketimi ile tasarlanmıştır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 51 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3670 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.6mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok