Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50P03P4L11ATMA2
MOSFET P-CH 30V 50A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50P03P4L11ATMA2
IPD50P03P4L11ATMA2 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD50P03P4L11ATMA2, P-Channel MOSFET transistörüdür. 30V Drain-Source gerilimi ve 50A sürekli drain akımı kapasitesiyle tasarlanmıştır. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketinde sunulmaktadır. 10.5mOhm RDS(on) değeriyle düşük iletim kaybına sahiptir. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu bileşen, güç anahtarlaması, motor kontrol devreleri, batarya yönetim sistemleri ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında kullanılır. 58W maksimum güç dağıtımı kapasitesine ve 55nC gate yükü değerine sahiptir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 55 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3770 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | +5V, -16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 85µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok