Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50N08S413ATMA1
MOSFET N-CH 80V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50N08S413
IPD50N08S413ATMA1 Hakkında
IPD50N08S413ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 80V drain-source voltajı ve 50A sürekli drain akımı ile çalışan bu bileşen, düşük on-state direnci (Rds On = 13.2mΩ) sayesinde anahtarlama uygulamalarında verimli çalışır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, motor kontrolü, güç dönüştürücüler, anahtarlamalı güç kaynakları ve endüstriyel sürücü uygulamalarında kullanılır. ±20V gate voltajı toleransı ve -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı ile geniş uygulama yelpazesine uyarlanabilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 80 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 30 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1711 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 72W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13.2mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 33µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok