Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50N06S4L12ATMA1
MOSFET N-CH 60V 50A TO252-3-11
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50N06S4L12ATMA1
IPD50N06S4L12ATMA1 Hakkında
IPD50N06S4L12ATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 60V drenaj-kaynak gerilimi ve 50A sürekli akım kapasitesi ile güç elektronik uygulamalarında kullanılmak üzere tasarlanmıştır. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, anahtarlama ve güç yönetimi devrelerinde, motor sürücülerinde, DC-DC dönüştürücülerinde ve yüksek akım uygulamalarında kullanılır. 12mΩ maksimum Rds(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında güvenilir performans sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 40 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2890 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Market |
| Power Dissipation (Max) | 50W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok