Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50N04S408ATMA1
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50N04S408ATMA1
IPD50N04S408ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD50N04S408ATMA1, N-kanal MOSFET transistördür. 40V drain-source voltajına ve 50A sürekli drain akımına sahip bu bileşen, güç elektroniği uygulamalarında anahtarlama işlevini yerine getirir. Düşük 7.9mOhm on-resistance değeri ile enerji kaybını minimize eder. TO-252 (DPak) paketinde sunulan bu transistör, DC-DC dönüştürücüler, güç kaynakları, motor sürücüleri ve endüstriyel kontrol sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde zorlu ortamlarda da güvenilir performans sağlar. Maximum 46W güç tüketimi kapasitesi ile termik yönetim tasarımlarında esneklik sunar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22.4 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1780 pF @ 6 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 46W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.9mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 17µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok