Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50N04S308ATMA1-INF
OPTLMOS N-CHANNEL POWER MOSFET
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50N04S308ATMA1
IPD50N04S308ATMA1-INF Hakkında
IPD50N04S308ATMA1-INF, Rochester Electronics tarafından üretilen N-Channel Power MOSFET'tir. 40V drain-source gerilimi ve 50A sürekli dren akımı kapasitesiyle güç uygulamalarında kullanılır. 7.5mΩ on-direnci (RDS(on)) düşük kayıplar sağlar. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen ve 68W güç saçma kabiliyetine sahip bu transistör, motor kontrolü, enerji dönüştürme, güç kaynakları ve DC-DC konverter uygulamalarında tercih edilir. TO-252 (DPak) SMD paketinde sunulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok