Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD50N04S308ATMA1
IPD50N04 - 20V-40V N-CHANNEL AUT
- Üretici
- Rochester Electronics
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD50N04
IPD50N04S308ATMA1 Hakkında
IPD50N04S308ATMA1, Rochester Electronics tarafından üretilen 40V N-Channel MOSFET transistörüdür. 50A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, düşük on-resistance (7.5mΩ @ 50A, 10V) ile anahtarlama uygulamalarında yüksek verimlilik sağlar. Surface mount TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan komponent, motor kontrolü, güç yönetimi, DC-DC dönüştürücüler ve otoomotiv uygulamalarında yaygın olarak kullanılmaktadır. -55°C ile 175°C arasında çalışabilen IPD50N04, 68W maksimum güç harcaması ile endüstriyel ve tüketici elektronik tasarımlarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 50A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7.5mOhm @ 50A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 40µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok