Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD49CN10N G
MOSFET N-CH 100V 20A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD49CN10N
IPD49CN10N G Hakkında
IPD49CN10N G, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 100V drain-source gerilimi ve 20A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, güç yönetimi ve anahtarlama uygulamalarında kullanılır. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, 49mΩ maksimum on-direnç değeri ile düşük güç kayıpları sağlar. 10V gate-source geriliminde optimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklık aralığında kullanılabilir. DC-DC konvertörler, motor kontrol devreleri ve yüksek frekanslı anahtarlama uygulamalarında yer bulur. Maksimum 44W güç hızla dağıtabilir. Ürün durumu Obsolete olarak işaretlenmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 20A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1090 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 44W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 49mOhm @ 20A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 20µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok