Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD42DP15LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD42DP15L
IPD42DP15LMATMA1 Hakkında
IPD42DP15LMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 150V drenaj-kaynak gerilimi ve 420mΩ maksimum RDS(on) değeri ile anahtarlama ve amplifikasyon uygulamalarında kullanılır. Trench teknolojisi ile üretilmiş bu bileşen, düşük güç kaybı ve kompakt tasarım sağlar. Surface mount TO-252 (DPak) paketinde sunulan transistör, -55°C ile 175°C arasında çalışabilir. Anahtarlamalı güç kaynakları, motor sürücüleri, DC-DC dönüştürücüler ve yük anahtarlaması gibi uygulamalarda tercih edilir. Maksimum 83W güç tüketimine sahip olan IPD42DP15LMATMA1, endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında geniş kullanım alanı bulur.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1.7A (Ta), 9A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 150 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 43 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100 pF @ 75 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 420mOhm @ 8.2A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1.04mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok