Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD40N03S4L08ATMA1
MOSFET N-CH 30V 40A TO252-31
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD40N03S4L08
IPD40N03S4L08ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD40N03S4L08ATMA1, 30V drain-source voltajında çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 40A sürekli drenaj akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 8.3mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük kaynaklanma direnci sunar. TO-252 (DPak) paketinde sunulan komponent, güç yönetimi, anahtarlama devreleri, motor kontrolü ve DC-DC dönüştürücü uygulamalarında yaygın olarak kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığı, geniş endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğunu gösterir. 42W maksimum güç yayma kapasitesi ile ısı yönetiminin yapılması gereken uygulamalarda tercih edilir. Not: Bu ürün yeni tasarımlar için önerilmemektedir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 40A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1520 pF @ 15 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Not For New Designs |
| Power Dissipation (Max) | 42W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.3mOhm @ 40A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±16V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 13µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok