Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD40DP06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 4.3A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD40DP06NMA
IPD40DP06NMATMA1 Hakkında
IPD40DP06NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source voltaj kapasitesi ile düşük güç uygulamalarında kullanılmaya uygundur. 4.3A sürekli drain akımı ve 400mOhm RDS(on) değeri ile verimli anahtarlama performansı sunar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, güç yönetimi devreleri, anahtarlama uygulamaları ve düşük gerilim güç denetim sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. Geniş çalışma sıcaklık aralığı (-55°C ~ 175°C) sayesinde endüstriyel ve otomotiv uygulamalarına uygunluğu vardır. 6.7nC gate charge değeri hızlı komütasyon sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 4.3A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.7 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 260 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 19W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 4.3A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3-313 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 166µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok