Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD400N06NGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 27A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD400N06NGBTMA1
IPD400N06NGBTMA1 Hakkında
IPD400N06NGBTMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 27A sürekli drain akımı kapasitesi ile yüksek akımlı anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 40mΩ maksimum on-resistance değeri ile verimli güç yönetimi sağlar. TO-252-3 (DPak) paketlemesi, yüzey montajı için optimize edilmiştir. -55°C ile 175°C arasında çalışabilir ve maksimum 68W güç dağıtabilir. Motorlar, solenoidler, LED sürücüleri ve DC-DC dönüştürücüler gibi güç elektronik devrelerinde yaygın olarak uygulanır. ±20V gate gerilimi aralığında işletilir ve 4V eşik geriliminde açılır.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 17 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 650 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Obsolete |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok