Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD380P06NMATMA1
MOSFET P-CH 60V 35A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD380P06NMATMA1
IPD380P06NMATMA1 Hakkında
IPD380P06NMATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen P-Channel MOSFET transistörüdür. 60V drain-source voltaj ve 35A sürekli drain akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 38mΩ on-state dirençi (RDS(on)) ile verimli anahtarlama sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu komponent, motorlar, güç kaynakları, şarj devreleri ve yüksek frekanslı invertörler gibi uygulamalarda yaygın olarak yer almaktadır. -55°C ile 175°C arası çalışma sıcaklığı aralığında ve 125W maksimum güç yayılımı ile geniş uygulama yelpazesine uyumluluk sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 63 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 38mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 1.7mA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok