Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD35N12S3L24ATMA1
MOSFET N-CH 120V 35A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD35N12S3L24ATMA1
IPD35N12S3L24ATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD35N12S3L24ATMA1, N-Channel MOSFET transistörüdür. 120V drain-source gerilim (Vdss) ve 35A sürekli akım kapasitesi ile güç anahtarlama uygulamalarında kullanılır. 24mΩ maksimum gate-source direnci (RDS On) düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) yüzey montaj paketi ile kompakt tasarımlar için uygundur. Sürücü devrelerinde, DC-DC dönüştürücülerde, PWM kontrolü gerektiren endüstriyel ve otomotiv uygulamalarında tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında çalışır ve maksimum 71W güç tüketimi belirtilmiştir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 35A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700 pF @ 25 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 71W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 24mOhm @ 35A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.4V @ 39µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok