Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD350N06LGBTMA1
MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD350N06L
IPD350N06LGBTMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD350N06LGBTMA1, N-kanal MOSFET transistördür. 60V drain-source gerilimi ve 29A sürekli drain akımı ile orta-güç uygulamalarında kullanılır. 35mΩ (10V, 29A) Rds(on) değeri ile iletim kayıplarını minimalize eder. TO-252 (DPak) paket tipi ile yüksek yoğunluklu PCB tasarımlarına uyum sağlar. Anahtarlama uygulamaları, motor kontrolü, güç dönüştürücüler ve DC-DC konvertörlerde tercih edilir. -55°C ile 175°C arasında stabil çalışma sağlar.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 29A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13 nC @ 5 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 800 pF @ 30 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 68W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 35mOhm @ 29A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 28µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok