Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD33CN10NGATMA1
MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD33CN10NGA
IPD33CN10NGATMA1 Hakkında
Infineon Technologies tarafından üretilen IPD33CN10NGATMA1, 100V drain-source gerilimi ile çalışan N-Channel MOSFET transistördür. 27A sürekli drain akımı kapasitesine sahip bu bileşen, 33mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük güç kaybı sağlar. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan transistör, anahtarlama uygulamaları, güç yönetimi devreleri, motor kontrol ve DC-DC dönüştürücülerde kullanılır. -55°C ile 175°C arasında çalışan bu FET, 58W güç dağıtım kapasitesi ile kompakt tasarımlarda etkin bir çözüm sunar. 10V gate drive voltajında optimize edilmiş karakteristiğiyle endüstriyel ve tüketici elektroniği uygulamalarında tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 27A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1570 pF @ 50 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 58W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 33mOhm @ 27A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 29µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok