Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
IPD320N20N3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3
- Üretici
- Infineon Technologies
- Paket/Kılıf
- TO-252-3
- Kategori
- Transistörler - FET, MOSFET - Tekil
- Seri / Aile Numarası
- IPD320N20N3
IPD320N20N3GATMA1 Hakkında
IPD320N20N3GATMA1, Infineon Technologies tarafından üretilen N-Channel MOSFET transistörüdür. 200V drain-source gerilimi ve 34A sürekli drenaj akımı kapasitesi ile güç yönetimi uygulamalarında kullanılır. 32mΩ maksimum RDS(on) değeri ile düşük iletim kayıpları sağlar. 29nC gate charge ve 2350pF input capacitance özellikleriyle hızlı anahtarlama karakteristiği sunar. -55°C ile 175°C arasında çalışma sıcaklığı aralığında stabil performans gösterir. TO-252-3 (DPak) paketinde sunulan bu bileşen, endüstriyel motor kontrol, DC-DC konvertörler, güç kaynakları ve anahtarlamalı regülatör tasarımlarında yaygın olarak tercih edilir.
Teknik Özellikler
| Parametre | Değer |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 29 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2350 pF @ 100 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Part Status | Active |
| Power Dissipation (Max) | 136W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 32mOhm @ 34A, 10V |
| Supplier Device Package | PG-TO252-3 |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 90µA |
Kaynaklar
Datasheet
Datasheet mevcut değil
Pinout
Pinout mevcut değil
Eşdeğerler (Muadiller)
Eşdeğer (muadil) veri yok